到四阶峰。
检测条件：使用单晶硅片，波长532 nm，激光输出功率20mW，狭缝宽度（或针孔）<= 50微米，使用大于等于1800线高分辨光栅，曝光时间100秒，累加次数3次（或曝光时间60秒，累加次数5次），binning等于1，显微镜头为X100倍。
CCD探测器：优质芯片，1024*256像元，半导体......
https://www.cgs.gov.cn/tzgg/zfcg_5637/zbxx_5639/201809/t20180920_467479.html 发布时间：2018.09.20 11:09:00
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